您的当前位置:首页 >时尚 >我国光子芯片制造技术获重大突破 良率提升至85% 新工艺已通过多轮严苛测试 正文
时间:2026-06-26 06:15:34 来源:网络整理编辑:时尚
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所宣布,其团队在光子芯片制造工艺上取得重要进展。通过优化自动光学检测系统的设置参数,研究人员成功将光子芯片的良率提升至85%以上,这一成果填补了国内在高性能光子

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